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知名EMMI质量放心可靠 诚信服务「苏州兰博斯特电子科技供应」
发布时间:2019/11/11

知名EMMI质量放心可靠, 案例分析: 背景: 器件检测后发现在VDD和ADIO引脚之间大约有2K的泄漏。 分析总结:在核实FAI参数界面的泄漏报告后,此器件通过使用几项分析技术确定原因和缺点状况。下面描述了三种测试技术。 InGaAs:在室温下检测到微小泄漏。获得的数据是热点而不是重组的,EMMI。 FMI:用波长385纳米的紫外线光源。FAI参数界面提供失效点的完整图片。 SIFT:用1480纳米波长的光源扫描完整芯片,发现失效区域在芯片一角,定位在失效区域进一步扫描发现失效点。 结论:使用FMI, SIFT and Thermal IR明显的确认该部件有一个热的不稳定的短路点。基于FMI结果确定失效点位于表层下接近层金属。

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EMMIEMMI苏州兰博斯特电子科技公司正式成立于2015年4月,位于风景秀丽的金鸡湖畔。致力于引进欧美先进的电子技术、生产工艺和高端测试技术。我们代理和销售新能源、电子、半导体等行业的生产及测试设备,销售高端实验室测试、诊断、分析仪器。并提供相关产品的服务,尤其在新能源测试和飞针测试领域,我们具有近20年的技术和经验积累,可为广大客户提供优质、快速、专业的测试解决方案及技术支持! 我们的客户遍布国防军工、航空航天等的科研院所;以及消费电子、汽车电子等行业企业。 我们为客户提供高技术、高质量的各类生产设备和测试设备的同时,也为他们提供快速,优质,可靠的技术服务保障。成为客户可信赖的优质合作伙伴。 为给客户提供更便捷,更快速的支持,我公司在近期将会在北京,深圳和西安设立分公司或办事处。 我们以不断的创新,优质快速的服务吸引客户,赢得回报,凝聚团队,求得发展!期待与您的合作……….

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苏州兰博斯特电子科技公司正式成立于2015年4月,位于风景秀丽的金鸡湖畔。 我们致力于引进欧美先进的电子技术、研发分析技术和高端测试技术。我们代理和销售电子、半导体、新能源等行业的生产及测试设备,失效分析设备仪器。如:美国MACCOR电池测试仪,飞针测试仪,EMMI微光显微镜,热阻特性测试仪,激光开封机,化学开封机,机械开封机,桌面型温控仪等。 尤其在新能源测试和失效分析等方面,我们有着专业的销售和技术支持服务团队,相关产品遍布国内各大优质知名企业和高等院校以及军工国防、航空、航天等科研院所。 我们为广大客户提供着优质、快捷、专业的测试(ICT,飞针测试,FCT)、失效分析等解决方案及技术支持!赢得了广大客户的信赖和支持!

知名EMMI质量放心可靠, 半导体器件和电路制造技术飞速发展,器件特征尺寸不断下降,而集成度不断上升。这两方面的变化都给失效缺点定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。对于半导体失效分析(FA)而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率高的分析工具。微光显微镜其高灵敏度的侦测能力,可侦测到半导体组件中电子-电洞对再结合时所发射出来的光线,能侦测到的波长约在350nm ~ 1100nm 左右。 它可以***的应用于侦测IC 中各种组件缺点所产生的漏电流,如: Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage等。 苏州兰博斯特电子科技有限公司代理的美国FAI生产的EMMI配备了深度制冷CCD和InGaAs相机,而且可以扩展激光诱导和荧光微热处理,真正实现了漏电和短路的全检测,做到了一机多用。

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我们专有的整套的Crystal Vision软件,它的设计基于容易使用操作,强大的功能同时可以控制所有的硬件和变量分析。客户在初购买时可以选择其中几个模块,当以后的工作需要时可以在其基础上继续增加应用模块。 我们的参数界面是一个模块,用户使用这个模块可以使电子触发信号和图像捕捉保持同步。 由于我们的客户不断发展新产品和新技术,所以失效分析技术的发展能够与其保持同步是至关重要的。FAI的***的硬件和软件模块为我们的设备提供了预见性的功能模块, 使得使用我们机器的用户能够享受设备升级带来的好处。 比如激光技术和LED技术的升级,允许我们加宽光源范围,将全部波长的光谱应用于样品正面和背面检查。

知名EMMI质量放心可靠, 对于元件的失效分析而言,微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率极高的分析工具。它主要用于侦测IC内部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明:在P-N 结加偏压,此时N阱的电子很容易扩散到P阱,而P的空穴也容易扩散至N然后与P端的空穴(或N端的电子)做 EHP Recombination。 会产生亮点的缺点 - 漏电结(Junction Leakage); 接触毛刺(Contact spiking); (热电子效应)Hot electrons;闩锁效应( Latch-Up);氧化层漏电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));多晶硅晶须(Poly-silicon filaments); 衬底损伤(Substrate damage); (物理损伤)Mechanical damage等。原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。 不会出现亮点的故障 - 欧姆接触;金属互联短路;表面反型层;硅导电通路等。亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal,这种情况可以采用backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。

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